|
|
Auto-modulation mode of micro-chip lasers with passive Q-switch.
(Program Set LID-MCL)
Известно, что при непрерывной накачке лазер может работать в одном из двух режимов - непрерывном или квазинепрерывном (регулярная генерация моноимпульсов излучения). Практически не исследован вопрос о возможности генерации
между двумя этими предельными режимами. В лазере с пассивной модуляцией добротности при непрерывной накачке возможно получение автомодуляционного режима генерации, при котором период следования импульсов лазерного излучения меньше времени жизни частиц в
пассивном затворе. Практически удается генерацию с частотой следования импульсов несколько МГц.
Наибольшую область автомодуляционного режима в широком диапазоне изменения начального пропускания пассивного затвора и коэффициента отрадения выходного зеркала можно получить в том случае, когда сечение излучения активного элемента соизмеримо с сечением поглощения пассивного затвора. Для кристаллических элементов при диодной накачке наилучшее соотношение имеет место для комбинации: YVO4:Nd3+ - YAG:Cr4+.
Анализ режимов генерации удобно проводить с помощью фазового портрета для коэффициента усиления среды и плотности мощности излучения. В автомодуляционном режиме процесс генерации характеризуется наличием предельного цикла. Генерация происходит при жестком возбуждении и постепенном переходе на устойчивый предельный цикл. В процессе генерации предельный цикл может деформироваться, что определяется соотношением времен жизни и сечений переходов активного элемента и пассивного затвора.
В разделе МИКРОЧИП ЛАЗЕРЫ - Результаты экспериментальных исследований представлены полученные в ИОФ РАН экспериментальные результаты для автомодуляционного режима генерации лазера на YVO4:Nd3+ - YAG:Cr4+.
Section under construction
|
|